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IRF100S201  与  IPB042N10N3 G  区别

型号 IRF100S201 IPB042N10N3 G
唯样编号 A-IRF100S201 A-IPB042N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V 4.2mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 214W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB PG-TO263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 192A 100A(Tc)
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ OptiMOS™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V 8410pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V 117nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3GATMA1_N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3

暂无价格 1,000 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 100A

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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